通過將高CTE的Cu高壓軋制到低CTE的金屬或合金基體材料上，然后退火形成固溶連接，可以制備出呈三明治結構的覆Cu材料，這是一種CTE可調、熱導率可變的疊層復合材料。封裝中所用的兩種主要包覆Cu材料為Cu／Invar／Cu(CIC)和Cu／Mo／Cu(CMC)。
CIC在Z方向熱導率較低，這與夾心的Invar熱導率低有關。CIC具有良好的塑性、沖裁性以及EMI／RFI屏蔽性，除了用于印制板外，還可用于固體繼電器封裝、功率模塊封裝及氣密封裝的底座等。CMC可沖裁，無磁性，界面接合強，可承受反復850℃熱沖擊。由于其CTE可調整，故能與可伐合金側墻可靠地焊接。CMC復合材料已用來制作微波／射頻外殼、微米波外殼，功率晶體管、MCM的底座，光纖外殼、光電元件基板，激光二極管、蓋板、熱沉和散熱片等。
在Cu／Mo基礎上，Polese公司開發了Cu／Mo-Cu／Cu材料，以滿足對可控CTE、高熱導和高電導的需要。2003年7月第一種厚度比為1-4—1的Cu／Mo-Cu／Cu上市，其25-400cC的熱導率為300W(m-1K-1)，CTE為7．0×10-6-8．5 ×10-6K-1，密度為9．45gcm-3?？捎糜谖⒉ㄝd體和熱沉、微電子封裝底座、GaAs器件安裝和SMP導體。
此外，美國的Polymetallurgical和Anomet等公司還生產了用于玻璃與金屬封接的銅芯引線。銅芯外邊可以是52合金(Fe-50Ni，中國牌號4J50)、可伐合金(Fe-29Ni-17Co)、42-6合金(Fe-42Ni-6Cr等膨脹材料。二者之間完全冶金結合，具有良好的機械強度、韌性和氣密性，既提供了銅的高導電能力，又提供了膨脹材料與玻璃氣密封接能力。銅芯與低膨脹合金半徑可以是任何比值，標準比值是2：1和3：1。在比值為3：1時，銅芯引線的導電率為14％IACS，即電阻率為12μΩ·cm。
通過上述講解，相信大家對Cu基符合材料有了更深的了解，要是大家對金屬封裝感興趣?？梢灾苯雍涂苽ヌ卦诰€客服進行即時交流。歡迎廣大客戶前來咨詢和選購！
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