Cu基復合材料
純銅具有較低的退火點，它制成的底座出現軟化可以導致芯片和／或基板開裂。為了提高銅的退火點，可以在銅中加入少量Al2O3、鋯、銀、硅。這些物質可以使無氧高導銅的退火點從320℃升高到400℃，而熱導率和電導率損失不大。國內外都有Al2O3彌散強化無氧高導銅產品，如美國SCM金屬制品公司的Glidcop含有99．7％的銅和0．3％彌散分布的Al2O3。加入Al2O3后，熱導率稍有減少，為365W(m-1K-1)，電阻率略有增加，為1．85μΩ·cm，但屈服強度得到明顯增加。這種材料已在金屬封裝中得到廣泛使用，如美國Sinclair公司在功率器件的金屬封裝中使用Glidcop代替無氧高導銅作為底座。美國Sencitron公司在TO-254氣密金屬封裝中使用陶瓷絕緣子與Glidcop引線封接。在Glidcop基礎上，SCM公司還將它與其他低膨脹材料，如可伐、Fe-42Ni、W或Mo進一步結合形成CTE較低、卻保持高電導率的高強度復合材料。如Glidcop與50％可伐的復合材料屈服強度為760MPa，CTE為10×10-6K-1， 電導率為30％IACS。Glidcop與25％Mo的復合材料屈服強度為690MPa，CTE為12×10-6K-1，電導率為70％IACS。
20世紀90年代，美國Texas Instruments公司開發出一種稱之為Cuvar的可控制膨脹、高熱導的復合材料，它是在Cu中加入低膨脹合金Invar，
但熱導率很低，為11W(m-1K-1)的粉末，由Cu基體提供了導熱、導電，由Invar限制了熱膨脹。Cuvar的加工性很好，容易鍍Cu、Ni、Au、Ag，是傳統低膨脹合金可伐和42合金(Fe-42Ni，中國牌號4J42)的替代品，也可以代替傳統的W、Mo基熱管理材料。但Cuvar材料受微量雜質的影響較大，Invar和Cu在燒結過程中的互相擴散對復合材料的導電、導熱和熱膨脹性能有一定影響。
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